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FAQ 常見問答

.對實行分頁管理的RAM區如何操作？

有些系列的單片機資料記憶體實行分頁管理，Ram 區分爲BANK0，BANK1，甚至BANK2，如SN8P2708A及USB系列某些單片機。
1. 定義Bank1的RAM 區當用戶ram 定義超過一個BANK，可以使用以下方式定義下一個BANK 的ram 變數。
.DATA //聲明以下爲變數定義
ORG 0X00 //BANK0 ram 地址
Buffer DS 1 //BANK0 變數
。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
ORG 0X100 //BANK1 ram 地址
Buffer1 DS 1 //BANK1 變數
2. Bank區之間的操作時，用戶需要注意切換bank。
.是否可以直接對Pflag寄存器進行讀寫操作？

Pflag程式狀態寄存器如下圖所示：

可以看出，NT0，NPD（顯示重定模式）可讀可寫，C，DC，Z（顯示標志位元狀態）可讀可寫；而LVD36，LVD24（低電壓檢測標志）只能讀不能寫。
在Sonix晶片說明中，凡是Read/Write行中顯示R/W的即爲可讀可寫的位，用戶可以對其進行讀寫操作。若只有R或只有W，表示寄存器的該位只能讀或只能寫。
.RAM中資料最低保持電壓是多少？是否有一個大概的範圍可供參考？

RAM中資料最低保持電壓因MCU型號而异，用戶可以參考相應datasheet電氣特性章節RAM Data Retention voltage中資料。詳細資訊請參考AN040：RAM掉電記憶功能的實現。

.對實行分頁管理的RAM區如何操作？