SN8F22711B
• 工作電壓範圍:4.0V~5.5V,Fosc = 6MHz • ROM:5K * 16位 • RAM:192 * 8位 • 8層堆疊暫存器 • 雙向...
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• 工作電壓範圍:4.0V~5.5V,Fosc = 6MHz • ROM:5K * 16位 • RAM:192 * 8位 • 8層堆疊暫存器 • 雙向...
• 工作電壓範圍:2.4V~5.5V,Fosc = 4MHz • ROM:4K * 16位元 • RAM:128 * 8位元 • 雙向I/O口:P0,...
• ROM:2K * 16 bits • RAM:128 * 8 bits • 8層堆疊暫存器 • 由改變電平觸發喚醒的埠:P1 • 3個外部中斷源:...
•OTP ROM大小:8K * 16位 •RAM大小:512 * 8位 •8層堆棧緩存 •喚醒:P0,P1 •外部中斷:P0.0,P0.1 •兩個...
• 32位元ARM Cortex-M0 核心- 工作電壓1.8V~5.5V- 工規 -40℃~85℃- ...
• 32位元ARM Cortex-M0 核心- 工作電壓1.8V~5.5V- 工規 -40℃~85℃- ...
• 32位元ARM Cortex-M0 核心- 工作電壓1.8V~5.5V- 工規 -40℃~85℃- ...
• 32位元ARM Cortex-M0 核心- 工作電壓1.8V~5.5V- 工規 -40℃~85℃- ...
• 32位元ARM Cortex-M0 核心- 工作電壓1.8V~5.5V- 工規 -40℃~85℃- ...
• 32位元ARM Cortex-M0 核心- 工作電壓1.8V~5.5V- 工規 -40℃~85℃- ...