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FAQ 常见问答

    • .对实行分页管理的RAM区如何操作？

      有些系列的单片机资料记忆体实行分页管理，Ram 区分为BANK0，BANK1，甚至BANK2，如SN8P2708A及USB系列某些单片机。 
      1. 定义Bank1的RAM 区 当用户ram 定义超过一个BANK，可以使用以下方式定义下一个BANK 的ram 变数。 
      .DATA //声明以下为变数定义 
      ORG 0X00 //BANK0 ram 地址 
      Buffer DS 1 //BANK0 变数
      。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 
      ORG 0X100 //BANK1 ram 地址 
      Buffer1 DS 1 //BANK1 变数 
      2. Bank区之间的操作时，用户需要注意切换bank。

    • .是否可以直接对Pflag寄存器进行读写操作？

      Pflag程式状态寄存器如下图所示： 

      可以看出，NT0，NPD（显示重定模式）可读可写，C，DC，Z（显示标志位元状态）可读可写；而LVD36，LVD24（低电压检测标志）只能读不能写。 
      在Sonix晶片说明中，凡是Read/Write行中显示R/W的即为可读可写的位，用户可以对其进行读写操作。 若只有R或只有W，表示寄存器的该位只能读或只能写。

    • .RAM中资料最低保持电压是多少？是否有一个大概的范围可供参考？

      RAM中资料最低保持电压因MCU型号而异，用户可以参考相应datasheet电气特性章节RAM Data Retention voltage中资料。 详细资讯请参考AN040：RAM掉电记忆功能的实现。

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